Samsung, AMD için optimizasyonlar içeren sektörün ilk 12nm DDR5 belleğini duyurdu

Samsung, AMD için optimizasyonlar içeren sektörün ilk 12nm DDR5 belleğini duyurdu

Samsung, DDR5 DRAM için sektörün ilk 12nm süreci üzerine inşa edilen yeni bellek yongalarının seri üretimine başlama yolunda ilerliyor.

Şirket, gelişmiş performans ve daha fazla güç verimliliği sayesinde "yeni nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve yapay zeka uygulamalarını ilerletmek" için 2023 yılında yeni çiplerin üretimine başlamayı hedefliyor.

Samsung'un yeni 16-gigabit (Gb) DRAM çipleri DDR5 standardını kullanan tüm platformlara fayda sağlayacak. Ancak şirket özellikle AMD'ye yönelik iyileştirmelerin altını çiziyor. Resmi basın bülteninde bu yongaların DDR5 destekli en yeni AMD Zen platformları (Zen4 ve AM5 soketi) için "optimize edildiği ve onaylandığı" belirtiliyor.

Daha yeni bir 12nm teknolojik sürece geçiş, Samsung'un hızları 7.2Gbps'ye (kabaca iki 32GB UHD filmi sadece bir saniyede işleme anlamına geliyor) kadar çıkarmasına ve "önceki DRAM'den" %23'e kadar daha az tüketmesine olanak tanıyor. Güncellenen bellek, daha yüksek hücre kapasitesine ve geliştirilmiş "kritik devre özelliklerine" sahip yeni bir yüksek-k malzeme kullanacak. Samsung ayrıca yonga plakası verimliliğini %20 oranında artıran sektörün en yüksek kalıp yoğunluğuyla da övünüyor.

Samsung, yeni 12nm DDR5 DRAM yongalarını çok çeşitli pazar segmentlerinde kullanmayı vaat ediyor.

HABERE YORUM KAT

UYARI: Küfür, hakaret, rencide edici cümleler veya imalar, inançlara saldırı içeren, imla kuralları ile yazılmamış,
Türkçe karakter kullanılmayan ve büyük harflerle yazılmış yorumlar onaylanmamaktadır.